NOR Flash或NAND Flash作為關鍵的非易失性存儲器,主要用于存儲設備的配置程序。兆易創新擁有廣泛的閃存產品組合,且均經過專門設計,以滿足各種電子應用對于容量、性能、可靠性和安全性等方面的不同需求,同時提供超小型封裝和低功耗。
SPI 閃存接口
串行外設接口(SPI)是讀取閃存最受歡迎的總線協議。SPI接口僅需6個信號便可實現控制器和存儲器之間的通信,減少了設計的復雜性,也縮小了電路板面積,降低了功耗和系統總成本,8引腳小封裝非常適合現代電子產品的湊型設計需求。我們的閃存產品系列提供豐富的選擇:
- 容量: 512Kb (64KB) ~ 8Gb (1GB)
- 性能:數據吞吐量 52MB/s ~ 104MB/s(配備四路SPI),400MB/s(配備Xccela™)
- 可靠性: 100000次編程/擦除周期,數據保留時間20年
- 安全性: UID、陣列保護、OTP區域、RPMC
- 封裝: WLCSP、USON、WSON、SOIC、TFBGA
- 功耗: 深度睡眠時0.1uA,待機時1uA,運行時10mA
注意:請查閱相應產品數據手冊了解上述各特性的具體說明。
SPI NOR Flash
兆易創新SPI NOR Flash具備所需的高性能和安全特性,可滿足當今應用多樣化設計需求。
主要特性
- 支持1.8V、2.5V、3.0V和寬壓范圍電源供電
- 單通道、雙通道和四通道數據吞吐量超過600Mbit/s
- 四通道數據傳輸速率高達532MHz,優于許多異步并行閃存
- 靈活的內存架構(扇區大小:4K Bytes,塊大小:32/64K Bytes)
- 提升的代碼執行速度,簡化的接口和更少的引腳等
SPI NAND Flash
兆易創新SPI NAND Flash為移動設備、機頂盒、數據卡、電視等設備的多媒體數據存儲應用提供所必需的大容量存儲和性能。
主要特性
- 支持1.8V和3.0V電源供電
- 封裝:WSON8 (6mm x 8mm)
- 高速時鐘頻率(30pF載荷時的快速讀取為120MHz)
- 四通道數據吞吐量高達480Mbit/s
- 存儲器架構靈活,從1Gbit到8Gbit
- 訪問性能得到增強,快速隨機讀取的緩存為2K或4K byte
- 高級NAND功能,包括內部ECC